GaN 파운드리 테마
전기자동차(배터리 + 시스템)와 인공위성 및 통신 장비, 반도체장비용 등 다양한 분야에서 GaN 반도체를 필요로 하고 있습니다.
이와 같은 수요로 인해 삼성 SK DB하이텍 등 국내 파운드리 업체들은 8인치 GaN 파운드리 시장에 뛰어들 것을 발표하고 있습니다.
특히 전세계적으로 전기차 배터리 주도권을 위해 투자를 하고 있는 상황에서 GaN 을 이용한 전력 반도체를 만드는 것에 대한 경쟁이 치열해지고 있습니다.
GaN 파운드리 관련주
주가는 에이프로가 2차전지 테마로 분류되면서 큰 상승을 기록했습니다.
RFHIC 는 시가총액이 높아 당분간은 실적이 숫자로 찍히기 전까지는 단순히 테마로 올라가기는 힘드렁 보입니다.
RF머트리얼즈는 시총이 낮아 상대적으로 GaN 테마에서 움직임이 큽니다.
1. RFHIC
시가총액 5000억원
2022년 매출 1000억원 영업이익 5억원
2023년(컨센서스) 매출 1500억원 영업이익 200억원
국내에서 GaN 반도체 기술력이 높은 기업 입니다.
일찍이 GaN 관련 기술력을 인정받아 낮은 매출과 영업이익에도 높은 시총을 유지하고 있습니다.
시총이 높다보니 공매도 가능 종목으로 현재는 공매도에 고생을 하고 있는 상황 입니다.
일반적으로 5G 테마로 알려져 있고 통신장비 분야에 매출이 컸지만, GaN 반도체를 이용해 방위 사업이나 RF에너지를 통한 반도체 장비까지 사업영역을 확장하려고 하고 있습니다.
기존의 레퍼런스를 통해 GaN 파운드리가 개화하는 시기에 빛을 볼 가능성이 높은 기업이라고 봅니다.
2. RF머트리얼즈
시가총액 1100억원
2022년 매출액 504억원 영업이익 27억원
2023년 컨센서스 없음
RFHIC 의 자회사 입니다.
GaN 반도체의 패키징을 주로 담당하고 있습니다.
시총이 작고 공매도 불가한 종목으로 테마에는 가장 강하게 반응하는 종목 입니다.
3. 에이프로
시가총액 2800억원
2022년 매출액 795억원 영업적자 25억원
2023년(컨센서스) 매출액 1816억원 영업이익 196억원
에이프로는 배터리 포메이션 장비를 개발하는 기업입니다.
GaN 관련 테마로 엮이는 이유는 자회사 에이프로반도체가 GaN 반도체 팹리스 회사이기 때문 입니다.
배터리 장비회사이지만 전력 반도체 기술을 갖고 있는 것이 특이사항 입니다.
LG에너지솔루션에 주로 납품을 하고 있고, 미국 증설로 매출과 이익이 모두 개선되고 있는 상황입니다.
에이프로반도체가 싱가폴 쪽 파운드리와 전력반도체 관련 제품 개발을 진행 중에 있고, 내년 즘 시제품이 나올 것으로 예상됩니다.
DB하이텍과 GaN 반도체 공정 관련 MOU 를 맺고 기술 개발을 공동으로 진행하고 있습니다. GaN q전력 반도체를 배터리 포메이션 장비에 적용하고 나아가 다른 분야로 확장하려고 하는 듯 보입니다.
GaN 반도체 기술
전력 전자 업계에서는 지속적인 발전으로 더욱 효율적이고 소형이며 고성능 장치에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 최근 몇 년간 큰 파장을 일으키고 있는 기술 중 하나가 질화 갈륨(GaN) 반도체 기술입니다. GaN은 기존 실리콘 기반 반도체에 비해 뛰어난 장점을 제공하는 광대역 갭 소재입니다. 이번 블로그 글에서는 GaN 반도체 기술의 매혹적인 세계와 다양한 산업에 미치는 영향에 대해 알아보겠습니다.
GaN 반도체 기술이란 무엇입니까?
GaN은 뛰어난 전기적 특성을 나타내는 화합물 반도체 물질입니다. GaN은 기존 실리콘 기반 반도체와 비교하여 높은 파괴 전압, 높은 전자 이동성 및 높은 열 전도도를 제공합니다. 이러한 독특한 특성은 GaN을 전력 전자 응용 분야의 탁월한 후보로 만듭니다.
GaN 반도체 기술 장점
- 높은 효율성: GaN 반도체는 실리콘 기반 장치에 비해 상당히 낮은 전력 손실을 허용합니다. 이러한 효율성 증가는 에너지 소비 감소로 이어지므로 GaN은 전기 자동차, 재생 에너지 시스템 및 데이터 센터와 같이 에너지 효율성이 가장 중요한 애플리케이션에 이상적인 선택이 됩니다.
- 소형 크기: GaN 기반 전원 장치는 효율성을 유지하면서 높은 스위칭 주파수에서 작동할 수 있습니다. 이 기능을 통해 보다 작고 가벼운 전력 전자 시스템을 설계할 수 있습니다. 예를 들어, GaN 기반 전원 공급 장치는 실리콘 기반 전원 공급 장치보다 훨씬 작기 때문에 휴대용 전자 장치, 항공 우주 응용 프로그램 및 전기 자동차 충전기에 매력적인 옵션입니다.
- 빠른 전환 속도: GaN 트랜지스터는 MHz 및 GHz 범위의 주파수에 도달하여 믿을 수 없을 정도로 빠른 속도로 켜거나 끌 수 있습니다. 이 기능을 통해 전력 변환기를 신속하게 전환할 수 있어 전력 품질이 향상되고 EMI(전자파 간섭)가 감소되며 시스템 성능이 향상됩니다.
- 더 높은 전력 밀도: GaN 기술은 주어진 영역에 더 많은 트랜지스터를 통합할 수 있게 하여 더 높은 전력 밀도를 가능하게 합니다. 이러한 장점은 모바일 장치, 위성 및 자동차 시스템과 같이 공간이 제한된 애플리케이션에서 특히 유용합니다. GaN은 더 작은 설치 공간에서 더 높은 전압과 전류를 처리할 수 있어 전력 전자 설계의 새로운 가능성을 열어줍니다.
GaN 반도체 기술 응용처
- 전원 공급 장치 및 변환기: GaN 기반 전원 장치는 전원 공급 장치 및 변환기 분야에 혁명을 일으키고 있습니다. 고효율, 소형 및 빠른 전환 속도로 스마트폰 충전기와 노트북 어댑터에서 산업용 전원 공급 장치 및 전기 자동차 충전기에 이르기까지 다양한 용도에 이상적입니다.
- 전기 자동차(EV): GaN 반도체는 교통의 전기화에 중추적인 역할을 하고 있습니다. 뛰어난 출력 밀도, 고주파 작동 및 향상된 효율성은 주행 범위를 확장하고 충전 시간을 단축하며 전체 EV 성능을 향상시키는 데 기여합니다.
- 재생 에너지 시스템: GaN 기술은 재생 에너지 시스템의 환경을 변화시키고 있습니다. GaN 반도체는 보다 효율적이고 콤팩트한 전력 변환기를 가능하게 함으로써 태양광 인버터, 풍력 터빈 및 에너지 저장 시스템의 성능을 향상시켜 청정 에너지원을 그리드에 통합할 수 있도록 합니다.
- 무선 전력 전송: GaN 기반 전력 장치는 무선 전력 전송 시스템에서도 사용되고 있어 물리적 연결 없이도 효율적이고 편리한 장치 충전이 가능합니다. 이 기술은 우리가 스마트폰, 웨어러블 및 기타 배터리 구동 장치를 충전하는 방식에 혁명을 일으킬 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다.
